فاصل مغناطيسي لإزالة الطبقة الرقيقة وتكثيفها من TCTJ
فصل وإزالة الرواسب من المنتج الفائض بعد الطحن الأول. تكثيف اللب قبل الطحن الثاني والترشيح.
إزالة الطمي من المعدن المغناطيسي قبل إدخاله في الغربال الدقيق والتعويم العكسي؛ التركيز النهائي للمغنيتيت.
بناء
مبدأ العمل
بعد إدخال اللب إلى صندوق التغذية، يمكن نقله مباشرةً إلى منطقة الفصل. تُمتص المعادن المغناطيسية على سطح الأسطوانة المغناطيسية بعد مغنطتها، ثم تُنقل إلى منطقة تفريغ المعادن بواسطة أسطوانة الفصل الدوارة. وبدفع ماء الغسيل، تُزال الرواسب الطينية، وتُفرغ المعادن في صندوق التركيز مع ماء الغسيل أو الكاشطة، لتُصبح مُركزًا. في الوقت نفسه، تتدفق المعادن غير المغناطيسية الموجودة في اللب إلى الصندوق السفلي. ونظرًا لاختلاف حجم الجزيئات وكثافتها في الصندوق السفلي، تترسب الجزيئات الثقيلة والخشنة في القاع وتخرج من فتحة المخلفات، لتُشكل المخلفات الخشنة. أما الرواسب الطينية الخفيفة، فتُفرغ بواسطة أجهزة الفائض.
نقطة الابتكار التكنولوجي في براءات الاختراع 1
تم تجهيز الفاصل المغناطيسي المركز بشفة تغذية متعددة النقاط في صندوق التغذية، ويمكن للتصميم العلوي المفتوح تحقيق التغذية الجانبية والعلوية، ويوجد حاجز فائض في صندوق التغذية، مما يجعل المواد في الخزان موحدة في اتجاه طول الأسطوانة.
نقطة الابتكار التكنولوجي في براءات الاختراع 2
يمكن تعديل قوة المجال المغناطيسي وعمق سطح الأسطوانة عن طريق تعديل بنية النظام المغناطيسي وفقًا لخصائص المواد وأهداف الفصل، مما يجعل المواد المغناطيسية في المخلفات أقل من 0.5٪ مقارنة بالفواصل المغناطيسية الشائعة.
نقطة الابتكار التكنولوجي في براءات الاختراع 3
تم تصميم النظام المغناطيسي بشكل مقسم وفقًا لهدف الفصل، لتعزيز القوة المغناطيسية في منطقة التجميع، واعتماد بنية متعددة الأقطاب في منطقة التركيز لتقليل المواد المغناطيسية في المخلفات، وتحسين الاستخلاص ودرجة التركيز.
نقطة الابتكار التكنولوجي في براءات الاختراع 4
زاوية لف النظام المغناطيسي أكبر بمقدار 160 درجة من 127 درجة للنوع العادي في اتجاه التدفق، وتم إطالة منطقة الفصل المغناطيسي وزيادة أوقات لف المواد المغناطيسية، وتم تحسين درجة التركيز.
